今日工单

28

已完成:16 | 进行中:8 | 待处理:4

生产良率

98.2%

较昨日 +0.5%

设备利用率

92%

正常范围:85%-95%

异常工单

1

光刻工艺异常

生产线实时状态
生产线 当前工单 产品型号 工艺阶段 状态 进度 操作
光刻线-01 WO20260316001 XC7A35T-1FG484C 光刻显影 运行中
75%
蚀刻线-02 WO20260316002 XC7A100T-1FGG484I 干法蚀刻 待投料
0%
封装线-03 WO20260316003 XC7Z020-1CLG484I 塑封成型 已完成
100%
良率趋势
设备状态分布
芯片生产工单列表
工单号 产品型号 生产数量 工艺路线 计划开始时间 计划结束时间 状态 操作
WO20260316001 XC7A35T-1FG484C 5000 晶圆制备→光刻→蚀刻→掺杂→封装 2026-03-16 08:00 2026-03-18 18:00 运行中
WO20260316002 XC7A100T-1FGG484I 3000 晶圆制备→光刻→蚀刻→掺杂→封装 2026-03-16 09:00 2026-03-19 18:00 待处理
WO20260316003 XC7Z020-1CLG484I 2000 晶圆制备→光刻→蚀刻→掺杂→封装 2026-03-15 08:00 2026-03-16 12:00 已完成
芯片工艺追溯查询
追溯结果 - 工单号:WO20260316001 | 产品型号:XC7A35T-1FG484C | 批次号:L20260316001
晶圆制备
设备:CZ001 | 操作员:李四 | 时间:2026-03-16 08:00-09:30

关键参数:硅纯度 99.9999% | 晶向 <100> | 直径 8英寸 | 温度 1420℃

光刻
设备:LK3000 | 操作员:王五 | 时间:2026-03-16 09:30-14:00

关键参数:波长 193nm | 曝光剂量 200mJ/cm² | 焦距 0.3μm | 显影时间 60s

蚀刻(当前阶段)
设备:ET5000 | 操作员:赵六 | 时间:2026-03-16 14:00-至今

关键参数:蚀刻气体 CF4/O2 | 压力 10mTorr | 功率 500W | 蚀刻速率 50nm/min

掺杂(未开始)
计划设备:DP8000 | 计划时间:2026-03-17 08:00-12:00
光刻设备
设备编号 设备名称 状态 运行时长 下次保养
LK3000 深紫外光刻机 运行中 1280h 2026-04-16
LK3001 深紫外光刻机 待机 1150h 2026-04-20
LK2000 紫外光刻机 故障 0h -
蚀刻设备
设备编号 设备名称 状态 运行时长 下次保养
ET5000 干法蚀刻机 运行中 980h 2026-03-25
ET5001 干法蚀刻机 运行中 950h 2026-03-28
ET4000 湿法蚀刻机 待机 820h 2026-04-05